S3C2410 Steppingstone/zh cn
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{{Languages|S3C2410_Steppingstone}} | {{Languages|S3C2410_Steppingstone}} | ||
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| + | [[Category:Neo1973 Phase 1 related/zh cn]] | ||
| + | [[Category:Neo1973 Phase 0 related/zh cn]] | ||
| + | [[Category:Neo1973 before Phase 0 related/zh cn]] | ||
Latest revision as of 00:55, 21 August 2008
S3C2410 Steppingstone是一个能够使得S3C2410直接从NAND闪存引导的特殊的4KB大缓冲区。
S3C2410的微代码复制NAND Flash的头4KB数据到RAM，然后将SDRAM的首页从0x30000000到0x00000000重映射。
引导加载程序在执行前需要一些代码从NAND加载剩余的引导加载程序代码。
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